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半導體技術雜志發表論文目錄表

發布時間:2016-03-02 14:56所屬分類:電子期刊瀏覽:加入收藏

期刊名稱: 半導體技術 期刊級別: 核心期刊 國內統一刊號: 13-1109/TN 國際標準刊號: 1003-353X 期刊周期: 月刊 主管單位: 信息產業部 主辦單位: 中國

半導體技術雜志征稿 期刊名稱: 半導體技術
期刊級別: 核心期刊
國內統一刊號: 13-1109/TN
國際標準刊號: 1003-353X
期刊周期: 月刊
主管單位: 信息產業部
主辦單位: 中國電子科技集團公司第十三研究所
咨詢郵箱: [email protected]
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  半導體技術》期刊簡介

 

  • 期刊信息:《半導體技術》(月刊)1976年創刊,以嚴謹風格,權威著述,在業內深孚眾望,享譽中外,對我國半導體事業的發展發揮了積極的作用。"向讀者提供更好資訊,為客戶開拓更大市場,提供技術成果展示、轉化和技術交流的平臺,達到了促進我國半導體技術不斷發展的目的"是《半導體技術》的追求,本刊一如既往地堅持客戶至上,服務第一,竭誠向讀者提供多元化的信息。趨勢與展望:全面闡述半導體技術與應用的發展趨勢;專題報道:每期就設計、生產、應用等企業關注的熱門技術及焦點論題,進行有深度、廣度的全面剖析;器件制造與應用:半導體器件的設計和制造及在各種領域中的應用;工藝技術與材料:介紹最新的半導體技術制作工藝和該領域用的新材料;集成電路設計與開發:各種IC的設計和應用技術、設計工具及發展動向;封裝、測試與設備:介紹器件、芯片、電路的測試、設備和封裝的前沿技術;MEMS技術:現代管理:半導體代工廠、潔凈廠房、半導體用水及氣體、化學品,等管理技術;綜合新聞:及時發布世界各地半導體最新產品及技術信息。《半導體技術》的稿件來源于全國各主要研究機構、大專院校和企事業單位等。《半導體技術》主管單位:信息產業部,主辦單位:中國電子科技集團公司第十三研究所,國內統一刊號:13-1109/TN,國際標準刊號:1003-353X

  • 期刊欄目:趨勢與展望、專題報道、應用長廊、設計與開發、支撐技術、新品推薦。

  • 數據庫收錄情況:國家新聞出版總署收錄 維普網、萬方數據庫、知網數據庫、文摘雜志、化學文摘(網絡版)、日本科學技術振興機構中國文獻數據庫、劍橋科學文摘社ProQeust數據庫、物理學、電技術、計算機及控制信息數據庫收錄
  
  • 影響因子:截止2014年萬方:影響因子:0.228;總被引頻次:552

  截止2014年知網:復合影響因子:0.386;綜合影響因子:0.209

  • 征稿信息:直接稿到本站即可。

  •《半導體技術》雜志發表論文:

  GaN高頻開關電力電子學的新進展………………………………………… 趙正平;

  降低金屬與n型Ge接觸電阻方法的研究進展…………………………………… 周志文;沈曉霞;李世國;

  可嵌入RFID標簽的低功耗單柵非易失性存儲器 ……………………………………楊亞楠;楊曉龍;陳力穎;

  一種快速轉換的過溫保護電路 ……………………………………張專;程新紅;俞躍輝;王坤;

  2~35 GHz單片微波集成功率檢測電路 ……………………………………趙子潤;楊實;

  高穩定度低相位噪聲溫補晶振芯片設計 ……………………………………黎榮林;黎敏強;

  摻鉑和電子輻照對快恢復二極管性能的影響 ……………………………………趙豹;賈云鵬;吳郁;胡冬青;周璇;李哲;譚健;

  2016年主要欄目設置……………………………………

  范文:降低金屬與n型Ge接觸電阻方法的研究進展

  【摘要】:Ge材料中n型雜質激活的電子濃度偏低,以及費米能級釘扎效應導致的金屬與n型Ge接觸電子勢壘高度偏大,使金屬與n型Ge接觸電阻較大。基于Ge的材料特性,分析了缺陷對雜質濃度以及費米能級釘扎對電子勢壘高度的影響;綜述了提高Ge材料中n型摻雜電子濃度的方法,如激光退火、磷和銻共摻、循環離子注入/退火、氟鈍化等;討論了降低金屬與n型Ge接觸電子勢壘高度的途徑,即插入薄的界面層形成金屬-界面層-Ge接觸。電子濃度的提高,以及電子勢壘高度的降低,有效地減小了金屬與n型Ge接觸電阻。

  【關鍵詞】: 鍺(Ge) n型摻雜 金屬-界面層-半導體接觸 金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET) 接觸電阻


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